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电子元器件详细资料 » IC[18842] » FDP18N20F
型号:FDP18N20F类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-220-3描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
系列UniFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C145 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs26nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1180pF @ 25V
功率_最大100W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220
包装管件

供应商

深圳市海虹微电子有限公司赵小姐086-0755-83291010 83678410
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生86-0755-82561519
深圳市格雷迪电子有限公司林先生15914072177
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
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FDP18N20F相关型号

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